买卖IC网 >> 产品目录 >> BLF6G10LS-200R 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLF6G10LS-200R

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 49 A
闸/源击穿电压 - 0.5 V to + 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT502B
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 BLF6G10LS-200R
BLF6G10LS-200R,112
BLF6G10LS-200R,118
BLF6G10LS-200R/T3
BLF6G10LS-200RN,11
供应商
公司名
电话
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129911934（手机优先微信同号） 史仙雁
深圳市亿联芯电子科技有限公司 18138401919 吴经理
广州市睿科电子科技有限公司 15975398125 曾小姐/汤小姐
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市企诺德电子有限公司 13480313979 胡
  • BLF6G10LS-200R 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价